1. Luede
Setzt d'beschichtete Quarz-Kugel op den Wärmetaustauschdësch, addéiere Silizium Rohmaterial, installéiert dann Heizungsausrüstung, Isolatiounsausrüstung an Ofdeckung, evakuéiert den Ofen fir den Drock am Ofen op 0,05-0,1mbar ze reduzéieren an de Vakuum z'erhalen. Argon als Schutzgas aféieren fir den Drock am Uewen am Fong bei ongeféier 400-600mbar ze halen.
2. Heizung
Benotzt e Graphitheizung fir den Uewenkierper z'erhëtzen, fir d'éischt d'Feuchtigkeit adsorbéiert op der Uewerfläch vu Graphitdeeler, Isolatiounsschicht, Silizium Rohmaterialien, asw., a lues a lues opzehëtzen fir d'Temperatur vum Quarz-Kraaft z'erreechen ongeféier 1200-1300℃. Dëse Prozess dauert 4-5 Stonnen.
3. Schmelzen
Argon als Schutzgas aféieren fir den Drock am Uewen am Fong bei ongeféier 400-600mbar ze halen. Lues a lues erhéijen d'Heizkraaft fir d'Temperatur an der Krees op ongeféier 1500 unzepassen℃, an de Silizium Rohmaterial fänkt un ze schmëlzen. Halen ongeféier 1500℃während dem Schmelzprozess bis d'Schmelze fäerdeg ass. Dëse Prozess dauert ongeféier 20-22 Stonnen.
4. Crystal Wuesstem
Nodeems de Silizium Rohmaterial geschmëlzt ass, gëtt d'Heizkraaft reduzéiert fir d'Temperatur vun der Krëpp op ongeféier 1420-1440 ze falen.℃, wat de Schmelzpunkt vu Silizium ass. Dann beweegt sech d'Quarz-Kraaft no ënnen no ënnen, oder d'Isolatiounsapparat riicht sech lues a lues erop, sou datt d'Quarz-Kraaft lues aus der Heizzon verléisst an den Wärmeaustausch mat der Ëmgéigend bilden; Zur selwechter Zäit gëtt Waasser duerch d'Kühlplack gefouert fir d'Temperatur vun der Schmelz vun ënnen ze reduzéieren, a kristallin Silizium gëtt als éischt um Buedem geformt. Wärend dem Wuesstumsprozess bleift déi zolidd-flësseg Interface ëmmer parallel zum horizontalen Plang bis de Kristallwuesstum fäerdeg ass. Dëse Prozess dauert ongeféier 20-22 Stonnen.
5. Annealing
Nodeems de Kristallwachstum ofgeschloss ass, wéinst dem groussen Temperaturgradient tëscht dem Buedem an der Spëtzt vum Kristall, kann thermesch Belaaschtung am Ingot existéieren, deen einfach erëm bei der Heizung vun der Siliziumwafer an der Virbereedung vun der Batterie zerbriechen ass. . Dofir, nodeems de Kristallwachstum ofgeschloss ass, gëtt de Siliziumblat fir 2-4 Stonnen no beim Schmelzpunkt gehal fir d'Temperatur vum Silizium-Ingot uniform ze maachen an den thermesche Stress ze reduzéieren.
6. Ofkillung
Nodeems de Siliziumblat am Uewen annealéiert ass, schalt d'Heizkraaft aus, erhéicht d'Hëtztisolatiounsapparat oder de Silizium-Ingot komplett erof, a féiert e grousse Flux vun Argongas an den Uewen, fir d'Temperatur vum Silicium-Ingot graduell ze reduzéieren. Raumtemperatur; gläichzäiteg klëmmt de Gasdrock am Uewen no an no, bis en den Atmosphärendrock erreecht. Dëse Prozess dauert ongeféier 10 Stonnen.
Post Zäit: Sep-20-2024
